## 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

VBsemi的MOSFET產(chǎn)品11NM60ND-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Plannar技術(shù)，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和12A的漏極電流（ID）能力。該產(chǎn)品在TO220F封裝中提供，適用于需要中等電壓和功率的應(yīng)用。

## 參數(shù)說明：

- 封裝：TO220F
- 構(gòu)型：?jiǎn)蜰溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：680mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：12A

- 技術(shù)：Plannar

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：

1. **家電**：由于11NM60ND-VB具有適中的電壓和電流能力，可用于家電產(chǎn)品中的開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等模塊，提供穩(wěn)定的電力輸出。

2. **照明應(yīng)用**：這款MOSFET適用于LED驅(qū)動(dòng)器和其他照明電源，能夠提供中等功率的功率轉(zhuǎn)換和可靠性。

3. **電源管理**：在一般的電源管理應(yīng)用中，11NM60ND-VB可以用于穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊，支持穩(wěn)定的電力輸出。

4. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設(shè)備中，這款MOSFET可用于逆變器、電源管理單元等模塊，提供可靠的功率控制和轉(zhuǎn)換。

5. **醫(yī)療設(shè)備**：由于11NM60ND-VB具有中等的功率能力，可用于醫(yī)療設(shè)備中的電源管理和功率控制模塊，提供可靠的電力支持。

以上是對(duì)11NM60ND-VB MOSFET產(chǎn)品的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的介紹。