### 產(chǎn)品簡介

**型號：11NM60ND-VB TO252**

VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用先進的SJ_Multi-EPI技術(shù)設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力，適用于各種高壓高功率應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：370mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：11A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**：
  - **家用逆變器**：11NM60ND-VB適用于家用逆變器中的高壓開關(guān)，如家庭太陽能電池系統(tǒng)、UPS系統(tǒng)等，提供可靠的電能轉(zhuǎn)換功能。
  - **工業(yè)逆變器**：在工業(yè)級逆變器中，這款MOSFET可以作為高壓開關(guān)器件，用于各種工業(yè)設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換和管理。

2. **電動汽車充電樁**：
  - **直流充電樁**：11NM60ND-VB可用作直流充電樁中的高壓開關(guān)，確保電動汽車的快速充電和高效能轉(zhuǎn)換。
  - **交流充電樁**：在交流充電樁中，這款MOSFET可以用于高壓開關(guān)，提供高效的電能轉(zhuǎn)換，適用于城市和道路充電設(shè)施。

3. **電源管理**：
  - **高壓開關(guān)電源**：適用于各種高壓開關(guān)電源中的高壓開關(guān)器件，如服務(wù)器電源、工控電源等，提供穩(wěn)定可靠的電源管理功能。
  - **電源逆變器**：在電源逆變器中，這款MOSFET可以用于高壓開關(guān)，提供高效能轉(zhuǎn)換和電能管理，適用于各種電源系統(tǒng)。

4. **醫(yī)療設(shè)備**：
  - **X射線發(fā)生器**：11NM60ND-VB可用于X射線發(fā)生器中的高壓開關(guān)，確保X射線發(fā)生器的穩(wěn)定和高效能工作。
  - **醫(yī)療成像設(shè)備**：在醫(yī)療成像設(shè)備中，這款MOSFET可以用于高壓開關(guān)，提供高質(zhì)量的成像和穩(wěn)定的設(shè)備工作。

通過其優(yōu)秀的電氣性能和廣泛的應(yīng)用范圍，VBsemi的11NM60ND-VB MOSFET為各種高壓高功率應(yīng)用提供了可靠和高效的解決方案。