### 產(chǎn)品簡介：

120P3N-VB 是一款單P溝道場效應管（MOSFET），具有-30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），-2.5V的閾值電壓（Vth），18mΩ@VGS=4.5V和11mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及-45A的漏極電流（ID）。采用了Trench工藝。適用于中高功率、低電壓的應用場合。

### 參數(shù)說明：

- **Package：** DFN8(3X3)
- **Configuration：** Single-P-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** -30V
- **VGS（柵極-源極電壓，±V）：** 20V
- **Vth（閾值電壓）：** -2.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 18mΩ@VGS=4.5V，11mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** -45A
- **Technology（工藝）：** Trench

### 應用示例：

1. **電源模塊：** 120P3N-VB 可用于中高功率的負載開關，如電源模塊、電池管理系統(tǒng)等，以提供穩(wěn)定的電壓和電流輸出。

2. **電池保護：** 適用于電池保護系統(tǒng)中的負載開關和保護電路，保護電池不受過載或短路的損害。

3. **電動車充電樁：** 可用于中高功率的電動車充電樁中，提供穩(wěn)定的充電電流和電壓。

4. **工業(yè)控制：** 可用于工業(yè)領域中的電源開關和控制電路，如工業(yè)電源、機械控制等，提供高效能的功率控制。

5. **照明系統(tǒng)：** 適用于LED照明系統(tǒng)的電源開關，實現(xiàn)高效能的功率控制和調光功能。

以上僅為一些典型應用示例，實際應用取決于具體設計要求和環(huán)境。