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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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12CN10N-VB TO263一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 12CN10N-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 12CN10N-VB TO263 產品簡介

**產品概述**:
12CN10N-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術制造,具有低導通電阻和高電流承受能力。這款MOSFET封裝在TO263中,適用于需要高效率和高可靠性的中壓電源管理應用。

**產品特點**:
- **中等電壓承受能力**:VDS為100V,適用于中壓應用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供較大的設計靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為2.5V,易于驅動。
- **低導通電阻**:RDS(ON)為23mΩ@VGS=4.5V,10mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為100A,適用于高電流應用。

### 12CN10N-VB TO263 詳細參數說明

- **封裝**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:100V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:23mΩ@VGS=4.5V,10mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流(ID)**:100A
- **技術**:Trench

### 應用領域和模塊

**電源管理模塊**:
在中壓電源管理模塊中,12CN10N-VB可用作功率開關元件,用于實現高效率的電源轉換和穩定的電壓輸出。其低導通電阻和高電流能力,使其在電源管理模塊中具有優異的性能。

**汽車電子**:
在汽車電子系統中,該MOSFET可用于電機驅動器中的功率開關元件,用于控制電動機的啟停和速度調節。其高電流能力和低導通電阻,有助于提高汽車電子系統的性能和可靠性。

**DC-DC轉換器**:
在DC-DC轉換器中,12CN10N-VB可用作開關管,實現直流電的電壓轉換。其低導通電阻和高電流能力,有助于提高DC-DC轉換器的效率和穩定性。

**電池管理系統**:
在電池管理系統中,該MOSFET可用于電池保護電路和充放電控制。其低導通電阻和高電流能力,有助于提高電池管理系統的效率和安全性。

**通信設備**:
在通信設備中,該MOSFET可用于功率放大器和電源管理模塊。其高效率和低功耗特性,有助于提高通信設備的信號質量和能效。

通過以上應用實例,可以看出12CN10N-VB MOSFET在各個領域和模塊中都有廣泛的應用前景,能夠滿足中壓范圍內的高性能和高可靠性需求。

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