### 12N10-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的12N10-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝技術。這種MOSFET在100V的漏源電壓（VDS）和20V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態(tài)電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為114mΩ。該器件的額定電流（ID）為15A，采用了Trench技術，具有低導通電阻和高功率承受能力的特點，適用于中功率應用場景。

### 12N10-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號：** 12N10-VB
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 100V
- **柵源電壓（VGS）：** 20（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 1.8V
- **開態(tài)電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 114mΩ
- **額定電流（ID）：** 15A
- **技術：** Trench

### 12N10-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源管理：**
  12N10-VB MOSFET適用于中功率的電源管理模塊，如LED照明電源和小型電動工具電源。其低導通電阻和適中的額定電流使其能夠處理中功率電源管理需求。

2. **工業(yè)控制：**
  在工業(yè)控制領域，12N10-VB MOSFET可用于控制各種中功率設備的電源和驅動系統(tǒng)。其適中的額定電流和低導通電阻確保了設備的穩(wěn)定運行。

3. **家用電器：**
  在家用電器中，如空調和冰箱，12N10-VB MOSFET可用于控制電器的開關和電源管理。其中等的功率特性使其能夠滿足家用電器的功率需求。

4. **車載電子：**
  在汽車和其他車輛中，12N10-VB MOSFET可用于控制車載電子設備的電源和開關。其適中的功率特性使其能夠適應車輛電子設備的功率需求。

通過這些應用領域和模塊的實例，12N10-VB MOSFET展示了其在中功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。