### 12N50U-VB 產品簡介

12N50U-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝技術。該器件具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在柵源電壓為 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術制造，適用于一些中功率的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 12N50U-VB |
| 封裝 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 680mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 12A |
| 技術 | Plannar |

### 應用領域和模塊示例

12N50U-VB 這款 MOSFET 可適用于一些中功率的應用場合，例如：

1. **電源管理模塊**
  - 適用于中功率的開關電源和 DC-DC 轉換器，提供高效的能量轉換和電流控制。

2. **照明控制**
  - 在照明系統中，可用作燈泡、燈帶等照明設備的開關控制器，提供穩定的電流控制和功率管理。

3. **工業控制**
  - 適用于一些中功率工業控制系統中的開關電路和負載開關，提供高頻操作和中等電流處理能力。

4. **電動工具**
  - 在一些中功率的電動工具中，如電動鉆、電動鋸等，通過其適中的電流處理能力和穩定性，提供可靠的電動工具性能。

5. **電動車充電系統**
  - 可用作電動車充電系統中的關鍵開關元件，確保充電系統的安全和穩定性。

通過以上示例，可以看出 12N50U-VB MOSFET 在一些中功率的應用場合具備較好的性能和穩定性，是許多電子系統中的重要組成部分。