### 12NM50ND-VB TO252 產品簡介

12NM50ND-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝技術。該器件具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在柵源電壓為 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 為 370mΩ。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，具備較低的導通電阻和適中的電流處理能力，適用于一些中功率的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 12NM50ND-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 370mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 11A |
| 技術 | SJ_Multi-EPI |

### 應用領域和模塊示例

12NM50ND-VB 這款 MOSFET 可適用于一些中功率的應用場合，例如：

1. **電源管理模塊**
  - 適用于中功率的開關電源和 DC-DC 轉換器，提供高效的能量轉換和電流控制。

2. **工業控制**
  - 適用于一些中功率工業控制系統中的開關電路和負載開關，提供高頻操作和中等電流處理能力。

3. **電動工具**
  - 在一些中功率的電動工具中，如電動鉆、電動鋸等，通過其適中的電流處理能力和穩定性，提供可靠的電動工具性能。

4. **太陽能逆變器**
  - 可用作太陽能光伏逆變器中的關鍵開關元件，確保太陽能系統的高效穩定運行。

5. **電動汽車充電系統**
  - 可用作電動汽車充電系統中的關鍵開關元件，確保充電系統的安全和穩定性。

通過以上示例，可以看出 12NM50ND-VB MOSFET 在一些中功率的應用場合具備較好的性能和穩定性，是許多電子系統中的重要組成部分。