### 132418E-VB 產(chǎn)品簡介

132418E-VB 是一款由 VBsemi 推出的雙N+N溝道 MOSFET，采用 SOT23-6 封裝技術(shù)。該器件具有 20V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 0.5~1.5V。在柵源電壓為 2.5V 和 4.5V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為 28mΩ 和 24mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造，適用于一些低功率的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
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| 產(chǎn)品型號 | 132418E-VB |
| 封裝 | SOT23-6 |
| 配置 | 雙N+N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 20V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 0.5~1.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 28mΩ @ VGS=2.5V, 24mΩ @ VGS=4.5V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 6A |
| 技術(shù) | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

132418E-VB 這款 MOSFET 可適用于一些低功率的應(yīng)用場合，例如：

1. **手機(jī)充電管理**
  - 適用于手機(jī)充電管理電路中的功率開關(guān)和電流控制，確保充電效率和安全性。

2. **便攜式電子設(shè)備**
  - 在一些便攜式電子設(shè)備中，如平板電腦、便攜式音響等，用作功率開關(guān)和電路控制器。

3. **電池管理系統(tǒng)**
  - 適用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制和電流管理，確保電池的安全和穩(wěn)定性。

4. **醫(yī)療設(shè)備**
  - 在一些低功率的醫(yī)療設(shè)備中，如便攜式醫(yī)療儀器等，用作功率開關(guān)和電路控制器。

5. **汽車電子**
  - 可用作汽車電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)和電路控制器，提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流控制。

通過以上示例，可以看出 132418E-VB MOSFET 在一些低功率的應(yīng)用場合具備較好的性能和穩(wěn)定性，是許多電子系統(tǒng)中的重要組成部分。