### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi的135N08N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，具有80V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時(shí)為5mΩ，具有75A的漏極電流（ID）和3V的閾值電壓（Vth）。
### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 135N08N-VB
- **封裝**: TO252
- **結(jié)構(gòu)**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 80V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 20V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3V
- **RDS(ON)（漏極-源極導(dǎo)通電阻）**:
- VGS=10V時(shí)：5mΩ
- **ID（漏極電流）**: 75A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源模塊**: 由于135N08N-VB具有較高的漏極-源極電壓和較大的漏極電流，適用于一些高功率的電源模塊，如DC-DC變換器和電源管理模塊。
2. **電動(dòng)車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，MOSFET通常用于控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。135N08N-VB可用于電動(dòng)車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中，提供高效率的功率控制。
3. **LED照明**: 由于其較高的漏極-源極電壓和較低的導(dǎo)通電阻，135N08N-VB適用于LED照明驅(qū)動(dòng)器和控制器，提供穩(wěn)定的電流和照明控制。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，MOSFET通常用于控制各種電氣設(shè)備和機(jī)器。135N08N-VB可用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和控制電路。
5. **電池充放電管理**: 由于其較高的漏極-源極電壓和較大的漏極電流容量，該器件適用于電池充放電管理系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和控制電路。
以上領(lǐng)域和模塊僅為示例，實(shí)際應(yīng)用取決于具體設(shè)計(jì)要求和環(huán)境。
