--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
下面是關(guān)于155N3LH6-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細(xì)信息和應(yīng)用領(lǐng)域說明:
### 155N3LH6-VB 產(chǎn)品簡介
**型號**: 155N3LH6-VB
**封裝類型**: TO252
**配置**: 單N溝道
**電壓參數(shù)**:
- 漏源電壓 (VDS): 30V
- 柵源電壓 (VGS): 20V (±)
**閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
**導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
**漏極電流 (ID)**: 120A
**技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252,這是一種小型封裝,適合高密度電路板設(shè)計,具有良好的散熱性能。
- **單N溝道配置**: 使得該MOSFET適用于單一方向的電流控制。
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V,意味著該器件可以承受30V的最大電壓。
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V,允許的最大柵極驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V,是柵極開啟電壓。
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 在4.5V柵極驅(qū)動電壓下為3mΩ,在10V柵極驅(qū)動電壓下為2mΩ,表明該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,適合高效能應(yīng)用。
- **漏極電流 (ID)**: 120A,表示該MOSFET可以承受的最大電流。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理模塊**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,155N3LH6-VB MOSFET常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等電源管理模塊中,提供高效能的電源轉(zhuǎn)換和管理。
2. **電動工具**: 其高電流能力使其適用于電動工具的電機(jī)控制模塊,可以有效地控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。
3. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,該MOSFET可以應(yīng)用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)、充電模塊等,為汽車提供高效、穩(wěn)定的電能管理。
4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET適用于各種驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路,提供可靠的電流控制和保護(hù)。
5. **消費(fèi)電子**: 例如高效能的筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)等設(shè)備的電源管理,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
希望這些信息對你有幫助。如果有其他問題或需要進(jìn)一步的幫助,請告訴我。
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