### 16DN25N-VB DFN8(3X3) MOSFET 產品簡介

**產品簡介：**

VBsemi的16DN25N-VB是一款高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用了先進的溝槽技術制造。它具有較低的導通電阻（RDS(ON)），適用于250V的漏源電壓（VDS），可提供穩定可靠的功率開關性能。

### 16DN25N-VB DFN8(3X3) MOSFET 詳細參數說明

**封裝類型：** DFN8(3X3)  
**配置：** 單N溝道  
**漏源電壓 (VDS)：** 250V  
**柵源電壓 (VGS)：** 20（±V）  
**閾值電壓 (Vth)：** 3.5V  
**導通電阻 (RDS(ON))：** 125mΩ@VGS=10V  
**漏極電流 (ID)：** 10.3A  
**技術：** 溝槽

### 16DN25N-VB DFN8(3X3) MOSFET 適用領域和模塊

**應用領域：**

1. **電源逆變器：** 
  - 由于其高漏源電壓和低導通電阻特性，適用于工業和家庭用途的電源逆變器中，可提供高效的能量轉換和穩定的電源輸出。

2. **電動汽車充電樁：**
  - 適用于電動汽車充電樁中的功率開關模塊，支持高電壓和大電流的轉換，提供安全可靠的充電功能。

3. **工業控制系統：**
  - 在工業控制領域中，可用于各種功率轉換模塊，如變頻器和伺服驅動器，提供穩定的電流控制和高效的能量轉換。

4. **照明應用：**
  - 適用于LED照明驅動器和其他高功率照明應用中的功率開關模塊，提供高效能的照明解決方案。

5. **電源管理系統：**
  - 可用于各種電源管理系統中的功率開關模塊，支持高效的能量管理和穩定的電源輸出。

通過這些應用實例，可以看出16DN25N-VB DFN8(3X3) MOSFET在多個領域和模塊上都能提供高效能的功率開關解決方案，滿足不同應用場景的需求。