### 產品簡介

VBsemi 16N50C3-VB TO263 是一款高壓、高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技術，具有低導通電阻和高漏極電流能力，適用于各種要求高電壓和高效率的應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 16N50C3-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

#### 電源管理
16N50C3-VB TO263 適用于高壓開關電源（SMPS）、逆變器、功率因數校正（PFC）等應用。這些應用需要高電壓耐受和低導通損耗的特性來提高系統效率和穩定性。

#### 工業電子
在工業控制領域，該MOSFET可用于電機驅動器、高壓開關和電源逆變器等。其高耐壓和高電流能力使其能夠應對工業環境中的各種高壓負載需求。

#### 照明系統
16N50C3-VB TO263 也可應用于高壓LED驅動器和電源模塊，以提供高效率的照明解決方案。其高漏極電流和低導通電阻有助于降低系統的能耗并提高照明質量。

#### 電動車充電樁
在電動車充電樁中，該型號MOSFET可用于功率控制和電池管理系統，具有高效率和高功率處理能力，確保充電樁的穩定性和安全性。

總之，VBsemi 16N50C3-VB TO263 MOSFET 適用于各種高壓高功率應用，具有優異的性能和穩定性，是工業、電源管理、照明和電動車充電樁等領域的理想選擇。