### 產品簡介

19N10G-TA3-T-VB是一款單路N溝道場效應管（MOSFET），采用槽溝道技術，具有高達100V的漏極-源極電壓（VDS）和18A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO220封裝，適用于多種領域和模塊，提供可靠的性能和高效的功率控制。

### 參數說明

- **型號:** 19N10G-TA3-T-VB
- **封裝:** TO220
- **構造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 100V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth (閾值電壓):** 1.8V
- **RDS(ON) (導通電阻):** 127mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 18A
- **技術:** 槽溝道

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理:** 由于其適中的電壓和電流特性，這款MOSFET可用于開關電源、DC-DC轉換器和功率因數校正（PFC）電路等。

2. **汽車電子:** 在汽車電子系統中，19N10G-TA3-T-VB可用于發動機控制單元、照明控制和電動汽車充電器等應用。

3. **工業控制系統:** 適中的參數使得這款MOSFET成為工業控制系統中的理想功率開關元件，可用于驅動電機、控制溫度和光照等應用。

4. **電動工具:** 對于電動工具（如電鉆、電鋸等）中的功率控制，這款MOSFET提供了一種可靠和高效的解決方案。

5. **LED照明:** 在LED照明應用中，19N10G-TA3-T-VB可提供可靠的功率開關功能，幫助實現節能和高亮度的照明解決方案。

以上是一些19N10G-TA3-T-VB可應用的領域和模塊示例，但并不局限于此，具體應用取決于設計要求和系統需求。