### 產品簡介：
VBsemi的19N10V-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技術，適用于各種領域和模塊的應用。
### 詳細參數說明：
- **包裝**：TO252
- **結構**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：100V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：57mΩ @ VGS=4.5V；55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：25A
- **技術**：槽道
### 應用示例：
1. **電源模塊**：由于其高導通電阻和高漏極電流，19N10V-VB適用于高功率電源模塊，能夠提供穩定的電能轉換。
2. **電動汽車控制器**：在電動汽車控制器中，這款MOSFET可以用于控制電機的功率輸出，提高電動汽車的性能。
3. **工業電源**：在工業電源設備中，這款MOSFET可以用于開關電源和UPS系統，提供穩定可靠的電力輸出。
4. **電機驅動**：在需要大電流輸出的電機驅動模塊中，這款MOSFET能夠提供可靠的開關控制和低損耗的功率轉換。
5. **LED照明**：在需要高亮度和高效率的LED照明應用中，這款MOSFET可以用作驅動器，提供穩定的電流輸出。
以上是19N10V-VB的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。
