VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET產品簡介：

VBsemi的1N80L-TA3-T-VB TO220是一款TO220封裝的單通道N溝道MOSFET。該產品具有850V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），2700mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及4A的漏極電流（ID）。采用Plannar技術。

1N80L-TA3-T-VB TO220詳細參數說明：

- 封裝：TO220
- 類型：單通道N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：850V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：2700mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：4A
- 技術：Plannar

產品應用領域和模塊示例：

1. 電源逆變器：1N80L-TA3-T-VB TO220適用于電源逆變器中的功率開關電路，能夠提供高效率的能量轉換。

2. 高壓電源管理：由于1N80L-TA3-T-VB TO220具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于高壓電源管理模塊中的功率開關電路。

3. 電動汽車充電樁：在電動汽車充電樁中，1N80L-TA3-T-VB TO220可以用于功率開關電路，提高充電效率。

4. 工業高壓電源：在工業控制系統中需要高電壓和適中電流的應用中，1N80L-TA3-T-VB TO220可以提供穩定可靠的性能。

以上是關于VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET的產品簡介、詳細參數說明以及在不同領域和模塊中的應用示例。