### 20N50H TO3P-VB 產品簡介

20N50H TO3P-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，設計用于要求高電壓和高電流的應用。采用了 SJ_Multi-EPI 技術，具有較低的導通電阻和高的漏極電流能力，適用于各種高性能電源管理和開關應用。

### 20N50H TO3P-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

**工業電源**:
20N50H TO3P-VB 適用于工業電源系統中的高壓開關和逆變器。其高漏極電流能力和低導通電阻確保了在高負載條件下的穩定性和效率。

**電動車充電器**:
在電動車充電器中，該產品可用于開關電源和 DC-DC 轉換器。其高額定電壓和電流能夠滿足電動車充電器對高性能組件的要求。

**太陽能逆變器**:
20N50H TO3P-VB 適用于太陽能逆變器中的高壓開關。其優秀的熱特性和可靠性確保了在各種環境條件下的穩定運行。

**醫療設備**:
在醫療設備中，該產品可用于高性能電源管理模塊和電動機控制。其高可靠性和穩定性使其成為醫療設備制造商的理想選擇。

20N50H TO3P-VB 通過在各種高壓高性能應用中的廣泛應用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。