### 一、20N60S5-VB產品簡介

20N60S5-VB是VBsemi公司推出的一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有高電壓和高電流處理能力。該器件設計用于要求高電壓和高功率的應用，具有低導通電阻和高可靠性，適用于各種功率控制和開關電路。

### 二、20N60S5-VB詳細參數說明

- **型號：** 20N60S5-VB
- **封裝類型：** TO263
- **配置：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)：** 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)：** ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)：** 20A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 三、20N60S5-VB的應用領域和模塊示例

20N60S5-VB MOSFET適用于以下領域和模塊：

1. **電源供應：** 由于其高電壓和高電流處理能力，20N60S5-VB適用于電源供應模塊，如開關電源和逆變器，能夠提供穩定的電壓和電流輸出。

2. **工業控制系統：** 在工業設備中，需要承受高電壓和電流的開關電路和功率控制模塊中，20N60S5-VB能夠提供可靠的性能。

3. **太陽能逆變器：** 在太陽能電池系統中，20N60S5-VB可用于逆變器模塊，實現太陽能電能的轉換和利用。

4. **電動汽車充電樁：** 在電動汽車充電樁中，20N60S5-VB能夠承受高電壓和電流，確保充電過程安全可靠。

5. **高壓照明系統：** 在需要高亮度和高效能的照明系統中，20N60S5-VB可用于開關電路，實現高效的電能轉換。

通過以上示例，可以看出20N60S5-VB在需要高電壓和高功率處理能力的各種應用中發揮著重要作用，為這些應用提供了可靠的電力控制和開關功能。