### 一、產品簡介

20N65M5-VB TO247 是 VBsemi 生產的一款高性能單N溝道MOSFET，封裝為TO247，適用于高壓、高功率的電源開關和電機驅動等應用。采用多重外延結構（SJ_Multi-EPI）技術，具有優異的漏源極電壓和導通電阻特性。

### 二、詳細參數說明

- **型號**：20N65M5-VB TO247
- **封裝**：TO247
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：30（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI（多重外延結構）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電源開關**：20N65M5-VB TO247 適用于需要高壓和高功率開關的場合，如高壓直流穩壓器和電源逆變器。其低導通電阻和高漏源極電壓能夠提供穩定可靠的電源開關和保護。

2. **電動汽車控制器**：在電動汽車的電機驅動控制系統中，20N65M5-VB TO247 可以提供高效能的功率開關和電流控制，確保電機正常運行并提供足夠的動力輸出。

3. **工業電源系統**：在需要高穩定性和高效能的工業電源系統中，該MOSFET可以作為關鍵的功率開關元件，確保電源系統的正常工作和高效能轉換。

4. **太陽能逆變器**：在太陽能發電系統中，該MOSFET可以用于逆變器電路，將太陽能板產生的直流電轉換為交流電，供給家庭和工業用電。

5. **高壓穩壓器**：作為高壓穩壓器的關鍵部件，20N65M5-VB TO247 可以實現對輸入電壓的穩定調節，保證輸出電壓的穩定性。

綜上所述，20N65M5-VB TO247 在高壓、高功率應用領域有著廣泛的應用前景，具有穩定可靠的性能和高效的電能轉換能力。