### 21NM60ND-VB TO220 產品簡介

21NM60ND-VB TO220 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，設計用于高壓和高電流應用。采用了 SJ_Multi-EPI 技術，具有低導通電阻和高漏極電流能力，適用于各種高性能電源管理和開關應用。

### 21NM60ND-VB TO220 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

**電力傳輸**:
21NM60ND-VB TO220 可用于高壓電力傳輸系統中的開關和保護裝置。其高額定電壓和電流能夠滿足高壓環境下的需求。

**太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中，該產品可用于高壓開關和功率逆變器。其高可靠性和高性能使其成為太陽能逆變器制造商的理想選擇。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中，21NM60ND-VB TO220 可用于高壓開關和電源管理。其高額定電壓和電流確保了電動汽車充電樁的高效率和可靠性。

**工業控制**:
在工業控制領域，該產品可用于高壓開關和逆變器。其低導通電阻和高漏極電流能力確保了在高負載條件下的穩定性和效率。

21NM60ND-VB TO220 通過在多種高壓高性能應用中的廣泛應用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。