### 一、產品簡介

**型號：21NM60ND-VB TO263**

VBsemi的21NM60ND-VB TO263是一款高性能單N溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術。該器件具有高耐壓、低導通電阻等特點，適用于各種高壓電源電子應用場合。其TO263封裝適合中高功率電路設計，具有良好的散熱性能和可靠性。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **連續漏電流（ID）**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**1. 電源供應**

21NM60ND-VB適用于高壓電源電子應用，如開關電源和逆變器。其高耐壓特性和低導通電阻可實現高效的能量轉換，適用于工業和通信設備中的電源管理模塊。

**2. 電動汽車充電樁**

該MOSFET可用于電動汽車充電樁中的充電控制器。其高耐壓和高電流承載能力可應對高功率充電需求，并保證系統的安全性和穩定性。

**3. 汽車電子**

在汽車電子領域，21NM60ND-VB可以用于汽車電池管理系統（BMS）和車載電源模塊中。其高耐壓和高電流能力可滿足汽車電子系統中的高功率需求，同時保證系統的穩定性和安全性。

**4. 工業控制**

該器件適用于工業控制領域，如PLC和工業機器人中的開關和驅動電路。其高可靠性和耐用性確保在惡劣工業環境中穩定運行，適用于各種自動化控制系統。

**5. 太陽能逆變器**

21NM60ND-VB還可以應用于太陽能逆變器中，用于控制太陽能電池板和電網之間的能量轉換。其高效能和低損耗有助于提高太陽能電站的能量轉換效率。

以上示例展示了21NM60ND-VB在不同領域和模塊中的廣泛適用性，說明了其在各類高壓電源電子設備中的重要性和優越性。