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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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26N50-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 26N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### VBsemi 26N50-VB MOSFET 產(chǎn)品概述

VBsemi 26N50-VB 是一款高性能的單 N-通道 MOSFET,設(shè)計(jì)用于各種功率管理應(yīng)用。該 MOSFET 封裝在 TO3P 封裝中,適用于高功率應(yīng)用。它采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和高電壓承載能力,適用于要求高可靠性和高效率的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)規(guī)格

- **封裝:** TO3P
- **配置:** 單 N-通道
- **VDS(漏極-源極電壓):** 600V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 190mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流):** 20A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用和用例

VBsemi 26N50-VB MOSFET 適用于各種領(lǐng)域和模塊:

1. **工業(yè)電源系統(tǒng):**
  - **高壓直流電源:** 由于其高電壓承載能力和低導(dǎo)通電阻,適用于工業(yè)級(jí)高壓直流電源的開關(guān)電路。
  - **電力因數(shù)校正:** 在電力因數(shù)校正裝置中,可用于控制電流和電壓。

2. **電動(dòng)汽車充電樁:**
  - **充電樁控制器:** 用于控制充電樁的功率開關(guān),確保充電效率和安全性。

3. **太陽能逆變器:**
  - **逆變器控制:** 在太陽能逆變器中用于控制電流和電壓,提高能源轉(zhuǎn)換效率。

4. **工業(yè)自動(dòng)化:**
  - **PLC 控制器:** 用于工廠自動(dòng)化系統(tǒng)中的電力開關(guān)和控制。

5. **醫(yī)療設(shè)備:**
  - **X 射線發(fā)生器:** 用于控制 X 射線發(fā)生器的電源開關(guān),確保精確的 X 射線產(chǎn)生。

VBsemi 26N50-VB MOSFET 具有高可靠性、低導(dǎo)通電阻和高電壓承載能力,適用于各種高功率應(yīng)用,包括工業(yè)電源、電動(dòng)汽車充電樁、太陽能逆變器等。

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