### 1. 產品簡介：

26NM60N-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高耐壓和低導通電阻特性。該器件適用于各種高壓應用場合，包括電源、逆變器和工業控制等領域。

### 2. 參數說明：

- **器件類型**：單N溝道MOSFET
- **封裝**：TO220F
- **最大漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **最大柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術特點**：SJ_Multi-EPI

### 3. 應用示例：

- **電源**：26NM60N-VB適用于高壓電源模塊，如開關電源和穩壓器。其高耐壓特性和低導通電阻可以提高電源的效率和穩定性。

- **逆變器**：在逆變器中，26NM60N-VB可以用作功率開關，實現對直流電的高效轉換為交流電。逆變器廣泛應用于太陽能發電、電動汽車等領域。

- **工業控制**：在工業控制系統中，26NM60N-VB可以用作開關元件，實現對各種工業設備的控制。其高漏極電壓和低導通電阻特性可以提高系統的穩定性和可靠性。