### 產品簡介詳

**VBsemi 2N50L-TF3-T-VB TO220F** 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用平面技術制造。該器件具有高漏極電壓和低導通電阻，適用于要求高可靠性和穩定性的電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**：2N50L-TF3-T-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **門限電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：2A
- **技術**：平面 (Plannar)

### 適用領域和模塊

**1. 電源逆變器**
2N50L-TF3-T-VB TO220F MOSFET適用于電源逆變器中的高壓開關和逆變器模塊。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高逆變器的效率和可靠性。

**2. 汽車電子**
在汽車電子系統中，這款MOSFET可以用于車載充電器、電動汽車和混合動力汽車中的電源管理和電機驅動。其高可靠性和穩定性適合汽車環境的要求。

**3. 工業控制**
在工業控制系統中，2N50L-TF3-T-VB TO220F可以用于高壓負載開關和逆變器模塊。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高系統的效率和可靠性。

**4. 電源管理**
這款MOSFET適用于各種電源管理模塊，包括DC-DC轉換器、AC-DC適配器和UPS系統。其高漏極電壓和低導通電阻可以提高模塊的效率和性能。

**5. 太陽能逆變器**
在太陽能光伏逆變器中，2N50L-TF3-T-VB TO220F能夠高效地管理和轉換太陽能電池板產生的能量，確保逆變器系統的高效運行和穩定性。

綜上所述，VBsemi 2N50L-TF3-T-VB TO220F MOSFET在多個領域和模塊上都有廣泛的應用前景，是高性能電源管理和高壓開關應用的理想選擇。