### VBsemi 2N60K-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 2N60K-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO247 封裝，適用于需要高效能功率開關和電源管理的各種應用。該器件具有穩健的性能和可靠性，適用于多種電子設備和系統。
### 詳細規格
- **封裝**：TO247
- **配置**：單 N-Channel
- **VDS（漏源電壓）**：650V
- **VGS（柵源電壓）**：±30V
- **Vth（閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源電阻）**：160mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用示例
1. **電源變換器**：
2N60K-VB 可用于電源變換器中的功率開關和電源管理。其高漏源電壓和穩定的性能使其成為各種電源變換器應用的關鍵組件。
2. **電動車充電樁**：
該 MOSFET 可用于電動車充電樁中的功率開關和控制。其高電流處理能力和低導通電阻有助于提高充電樁的效率和穩定性。
3. **工業控制系統**：
在工業控制系統中，2N60K-VB 可用于功率開關和控制。其穩定的性能和高電流處理能力使其成為工業自動化系統中的關鍵組件。
4. **UPS（不間斷電源）**：
由于其高漏源電壓和穩定的性能，該器件可用于 UPS 中的功率開關和控制，有助于提高 UPS 的效率和穩定性。
總的來說，VBsemi 2N60K-VB MOSFET 可在電源變換器、電動車充電樁、工業控制系統和 UPS 等領域中發揮重要作用，為各種應用提供高效能的功率開關和電源管理解決方案。
