### 產品簡介
VBsemi的2N62K3-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用了平面技術制造，具有高漏源極電壓和適中的導通電阻。該器件適用于需要高電壓和低電流的應用，如開關電源、照明系統和消費類電子產品。2N62K3-VB采用TO220F封裝，具有良好的散熱性能和高可靠性，適合于需要中等功率密度和高電壓的應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2N62K3-VB
- **封裝形式**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面技術
### 應用領域和模塊示例
1. **開關電源**：
- 在開關電源中，2N62K3-VB可用于開關電源的開關器件，如電源開關和逆變器。其高漏源極電壓和適中導通電阻可確保開關電源的穩定性和效率。
2. **照明系統**：
- 在LED照明系統中，該MOSFET可用作LED驅動器的開關器件。其高漏源極電壓和適中導通電阻可確保LED照明系統的穩定性和高效能。
3. **消費類電子**：
- 在消費類電子產品中，如電視機、電腦顯示器和音響系統，2N62K3-VB可用于電源管理和開關電路。其高可靠性和穩定性可確保設備的安全運行。
4. **工業控制**：
- 該MOSFET適用于工業控制系統中的電源逆變器和電機控制器。其高漏源極電壓和適中導通電阻可提高系統的效率和穩定性。
綜上所述，VBsemi的2N62K3-VB MOSFET適用于各種需要高電壓和低電流的應用領域，特別是在開關電源、照明系統和消費類電子產品等領域表現突出。
