### 產(chǎn)品簡介

2N65H-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO251封裝，由VBsemi提供。該器件具有高漏極電壓和適中的導通電阻，適用于各種中低功率應用。采用了Plannar技術，提供了可靠的性能和穩(wěn)定性。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO251
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：4300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：2A
- **技術**：Plannar

### 應用領域和模塊

2N65H-VB MOSFET 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用，以下是一些典型的應用示例：

1. **電源管理**：
  由于其高漏極電壓和適中的導通電阻，該器件適用于低中功率開關電源中的主開關器件，幫助提高電源效率并降低系統(tǒng)成本。

2. **電動工具**：
  在電動工具中，2N65H-VB 可以用作電機驅動器中的開關器件，提供高效的電能轉換和穩(wěn)定的電動工具性能。

3. **家電控制**：
  該MOSFET 可以用于家電控制系統(tǒng)中的開關電路，如空調(diào)、冰箱等，實現(xiàn)高效的能量轉換和電路控制。

4. **電動汽車充電樁**：
  在電動汽車充電樁中，2N65H-VB 可以用作開關器件，幫助實現(xiàn)快速、安全的充電過程。

5. **工業(yè)自動化**：
  該器件適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的控制電路和驅動器，提供可靠的電路控制和穩(wěn)定的運行。

以上應用示例展示了2N65H-VB 的多功能性和適用性，使其成為各種中低功率電子系統(tǒng)中的理想選擇。