### 產品簡介

**2N7002BKT-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用SC75-3封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為1.7V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為2000mΩ，在柵源電壓為10V時為1200mΩ，最大漏極電流（ID）為0.33A。采用Trench技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                    |
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| 封裝類型            | SC75-3                 |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 60V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 1.7V                   |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 2000mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 0.33A                  |
| 技術                | Trench                 |

### 應用領域和模塊

1. **模擬開關**：2N7002BKT-VB MOSFET適用于各種模擬開關應用，如音頻信號開關、視頻信號開關等。其低導通電阻和低開啟閾值電壓使其能夠提供高品質的信號傳輸。

2. **電源管理**：在低功率電源管理電路中，這款MOSFET可以用作開關元件，如DC-DC轉換器和穩壓器。其高可靠性和穩定性使其成為電源管理領域的理想選擇。

3. **傳感器接口**：在各種傳感器接口電路中，2N7002BKT-VB MOSFET可以用來控制傳感器的供電和信號傳輸。其低功率特性和可靠性使其能夠滿足傳感器接口電路對功耗和穩定性的要求。