### 產(chǎn)品簡介

VBsemi 的 2N7002E-T1-GE3-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 SOT23-3 封裝。這款 MOSFET 具有低漏源電壓和低導(dǎo)通電阻，適用于低功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: 2N7002E-T1-GE3-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V, 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: 由于 2N7002E-T1-GE3-VB 具有低導(dǎo)通電阻和低閾值電壓，因此可用于低功率電源管理電路中，例如小型電源適配器和便攜式設(shè)備中的開關(guān)電源。

2. **信號開關(guān)**: 在電路中，這款 MOSFET 可用作信號開關(guān)，用于開關(guān)信號線路。其低漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。

3. **驅(qū)動器**: 2N7002E-T1-GE3-VB 可用作驅(qū)動器的一部分，例如馬達(dá)驅(qū)動器和 LED 驅(qū)動器。其低漏源電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高驅(qū)動效率和性能。

4. **模擬開關(guān)**: 在模擬電路中，這款 MOSFET 可用作模擬開關(guān)，用于控制模擬信號的通斷。其低閾值電壓和低漏源電壓使其成為模擬開關(guān)的理想選擇。