### VBsemi 2N7002KDW-VB MOSFET 產(chǎn)品概述
VBsemi 2N7002KDW-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 SC70-3 封裝，適用于低功率應(yīng)用。該器件具有穩(wěn)定的性能和可靠性，適用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 詳細(xì)規(guī)格
- **封裝**：SC70-3
- **配置**：?jiǎn)?N-Channel
- **VDS（漏源電壓）**：60V
- **VGS（柵源電壓）**：±20V
- **Vth（閾值電壓）**：1.7V
- **RDS(ON)（漏源電阻）**：
- 4000mΩ @ VGS = 4.5V
- 2000mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續(xù)漏極電流）**：0.3A
- **技術(shù)**：Trench
### 應(yīng)用示例
1. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**：
2N7002KDW-VB 可用作信號(hào)開(kāi)關(guān)，用于控制低電壓和低電流的信號(hào)。其低漏源電阻和高閾值電壓使其成為信號(hào)開(kāi)關(guān)的理想選擇。
2. **電壓級(jí)移器**：
該 MOSFET 可用作電壓級(jí)移器，將低電壓轉(zhuǎn)換為高電壓。其穩(wěn)定的性能和低閾值電壓有助于實(shí)現(xiàn)電壓級(jí)移的功能。
3. **電路保護(hù)**：
在電路保護(hù)中，2N7002KDW-VB 可用于過(guò)載和短路保護(hù)。其高閾值電壓和低漏源電阻有助于保護(hù)電路免受損壞。
4. **傳感器接口**：
由于其低漏源電阻和高閾值電壓，該器件可用于傳感器接口，用于處理傳感器輸出信號(hào)。
總的來(lái)說(shuō)，VBsemi 2N7002KDW-VB MOSFET 可在信號(hào)開(kāi)關(guān)、電壓級(jí)移器、電路保護(hù)和傳感器接口等領(lǐng)域中發(fā)揮作用，為各種低功率應(yīng)用提供高效能的解決方案。
