### 產品簡介
VBsemi的2N7002KU-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Trench技術制造，具有低漏源極電壓和適中的導通電阻。該器件適用于低壓低功率應用，如電源管理、信號開關和驅動器。2N7002KU-VB采用SOT23-3封裝，體積小巧，適合于需要高集成度和小尺寸的電路設計。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2N7002KU-VB
- **封裝形式**: SOT23-3
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**：
- 在低壓低功率的電源管理電路中，2N7002KU-VB可用作電源開關或負載開關。其低漏源極電壓和適中導通電阻可確保電路的高效能和穩定性。
2. **信號開關**：
- 作為信號開關，該MOSFET可用于控制信號在電路中的傳輸和屏蔽。其低漏源極電壓和適中導通電阻可確保信號傳輸的穩定性和可靠性。
3. **驅動器**：
- 在驅動器電路中，2N7002KU-VB可用于控制小功率驅動器的開關。其小尺寸和高性能使其成為驅動器電路中的理想選擇。
綜上所述，VBsemi的2N7002KU-VB MOSFET適用于各種低壓低功率應用領域，特別是在電源管理、信號開關和驅動器等領域表現突出。
