### 產品簡介詳

**VBsemi 2N90L-TN3-T-VB TO252** 是一款高壓單N溝道MOSFET，適用于要求高電壓和高性能的應用。采用SJ_Multi-EPI技術，具有良好的導通特性和高耐壓能力。

### 詳細參數說明

- **型號**：2N90L-TN3-T-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：900V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **門限電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：2700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：2A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

**1. 電源逆變器**
2N90L-TN3-T-VB TO252 MOSFET適用于電源逆變器，如太陽能逆變器和工業用逆變器。其高耐壓能力和穩定的性能使其成為逆變器電路的理想選擇。

**2. 高壓開關電路**
在一些要求高電壓開關的電路中，這款MOSFET可以用于高壓開關電路的設計，如電源開關和高壓直流電源開關。

**3. 照明應用**
在某些照明應用中，2N90L-TN3-T-VB TO252可以用作LED驅動器的開關器件，控制LED的亮度和開關。

**4. 汽車電子**
在汽車電子系統中，這款MOSFET可以用于電源管理和電動車輛控制電路，其高耐壓能力和穩定性能使其適合在汽車環境中使用。