### VBsemi 2N90Z-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 2N90Z-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封裝，適用于高壓高功率應用。該器件具有穩定的性能和可靠性，適用于各種電子設備和系統。
### 詳細規格
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單 N-Channel
- **VDS（漏源電壓）**：950V
- **VGS（柵源電壓）**：±30V
- **Vth（閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源電阻）**：5400mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）**：3A
- **技術**：Plannar
### 應用示例
1. **電源系統**：
2N90Z-VB 可用作高壓電源系統中的開關器件。其高漏源電壓和適中的漏源電阻使其成為電源系統的理想選擇。
2. **電機驅動**：
在高壓電機驅動中，該器件可用于控制電機的啟動和停止。其高漏源電壓和適中的電流能力使其適用于各種電機驅動應用。
3. **照明電源**：
該 MOSFET 可用于高壓照明系統中的電源控制。其穩定的性能和高漏源電壓使其適用于照明電源。
4. **電力逆變器**：
由于其高漏源電壓和適中的電流能力，該器件可用于電力逆變器中的開關和控制電路。
總的來說，VBsemi 2N90Z-VB MOSFET 可在電源系統、電機驅動、照明電源和電力逆變器等領域中發揮作用，為各種高壓高功率應用提供高效能的解決方案。
