### 一、產品簡介

**2SJ248-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生產的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該器件采用了先進的溝道技術，具有低導通電阻和適中的額定電流能力，適用于各種中功率應用場景。

### 二、詳細參數說明

- **封裝形式**：TO220F
- **配置**：單P-溝道
- **漏源電壓（VDS）**：-100V
- **柵源電壓（VGS）**：20V（±）
- **柵極閾值電壓（Vth）**：-2V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 230mΩ @ VGS = 4.5V
 - 200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：-12A
- **技術類型**：溝槽技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**應用領域：**

1. **中功率電源管理**：
  - 由于其低導通電阻和中等額定電流能力，2SJ248-VB MOSFET 可以用于中功率電源管理系統中，如LED驅動器、工業電機控制器等。

2. **音頻放大器**：
  - 在音頻放大器中，該器件可以用于功率放大和信號開關，提供清晰的音頻輸出。

3. **電動工具**：
  - 適用于各種電動工具中的開關和控制電路，如電鉆、電錘等。

**模塊應用舉例：**

1. **LED照明**：
  - 在LED照明系統中，2SJ248-VB MOSFET 可以用于控制LED的亮度和開關，提供高效的照明效果。

2. **電動車輛充電器**：
  - 在電動車輛充電器中，該器件可用于控制充電電流和電壓，保證充電效率和安全。

3. **電源逆變器**：
  - 適用于各種電源逆變器模塊，如太陽能逆變器、車載逆變器等，提供高效的電能轉換。