### 產品簡介

**型號：2SJ466-VB**
2SJ466-VB 是一款單P溝道MOSFET，采用TO263封裝，具備高性能和可靠性。其采用槽溝道（Trench）技術，結合了高導通電流和低導通電阻的特點，適用于高功率應用。

### 產品詳細參數

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -75A
- **技術類型**: 槽溝道（Trench）

### 應用領域及模塊

2SJ466-VB MOSFET 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用。以下是一些示例：

1. **電源管理模塊**: 由于其高導通電流和低導通電阻特性，該MOSFET適用于高功率的開關電源、DC-DC轉換器和電池管理系統。它能夠有效地處理高功率，提供高效的電能轉換和分配。

2. **電機驅動和控制系統**: 在需要高功率電機驅動和控制的應用中，2SJ466-VB MOSFET的高導通電流和低導通損耗可以提高系統的效率和性能。這在電動汽車、工業機械和機器人等領域具有重要意義。

3. **電力電子**: 在需要高功率的電力電子系統中，2SJ466-VB 可以用于功率因數校正電路、逆變器和變頻器等高功率電路中，以提高系統的效率和穩定性。

4. **服務器和數據中心**: 在服務器和數據中心的電源管理和功率控制系統中，2SJ466-VB 的高功率特性使其成為高性能計算和數據處理的理想選擇。

通過結合高導通電流、低導通電阻和槽溝道技術，2SJ466-VB MOSFET 是高功率應用的理想選擇。其可靠性和性能使其在多個領域和模塊中得到廣泛應用。