### 一、產品簡介

**2SJ601-Z-E1-AZ-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生產的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。封裝形式為TO252，適用于高功率應用場景。

### 二、詳細參數說明

- **封裝形式**：TO252
- **配置**：單P-溝道
- **漏源電壓（VDS）**：-60V
- **柵源電壓（VGS）**：20V（±）
- **柵極閾值電壓（Vth）**：-1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 25mΩ @ VGS = 4.5V
 - 20mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：-50A
- **技術類型**：溝槽技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**應用領域：**

1. **電源管理**：
  - 2SJ601-Z-E1-AZ-VB MOSFET 可以用于高功率電源管理系統中，如開關電源、逆變器等。

2. **電動汽車**：
  - 在電動汽車驅動系統中，該器件可以用于電機驅動和能量回收系統。

3. **工業設備**：
  - 適用于各種工業設備中的高功率開關和控制電路。

**模塊應用舉例：**

1. **電源逆變器**：
  - 用于各種電源逆變器模塊中，實現高效的電能轉換。

2. **電動工具**：
  - 適用于高功率電動工具的電源控制部分，確保設備在高負載情況下穩定運行。

3. **電力傳輸**：
  - 可用于電力傳輸系統中的高功率開關裝置，提高系統的效率和可靠性。