### 產品簡介

**型號：2SK1101-VB**

2SK1101-VB是一款采用TO-220F封裝的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品具有高漏極電壓和低導通電阻，適用于需要高壓和低功耗的應用場景。其采用了Plannar技術，具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **封裝：** TO-220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 650V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 12A
- **技術：** Plannar

### 應用領域和模塊實例

**1. 電源逆變器：**

2SK1101-VB適用于電力電子領域中的電源逆變器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提供穩定的電源轉換和高效率的能量轉換。

**2. 太陽能逆變器：**

在太陽能逆變器中，該MOSFET可用于電源開關和調節器。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩定性。

**3. 工業電機控制：**

2SK1101-VB可應用于工業電機控制系統中的功率開關和電流調節器。其高漏極電壓和低導通電阻可提高設備的效率和響應速度。

**4. 電動汽車充電樁：**

該型號適用于電動汽車充電樁的功率開關和電流調節器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提高充電效率和可靠性。

以上應用實例展示了2SK1101-VB MOSFET在高壓和低功耗要求的領域中的廣泛適用性，體現了其在現代電子設備中的重要性。