### 一、2SK1286-VB產品簡介

VBsemi的2SK1286-VB是一款低壓單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造。該器件封裝在TO-220F封裝中，具備較低的漏源電壓和電流處理能力，適用于需要承受較低電壓和電流的功率管理和開關應用。其特性包括60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），確保了在各種低壓電路中的穩定運行。

### 二、2SK1286-VB詳細參數說明

- **型號**: 2SK1286-VB
- **封裝類型**: TO-220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 27mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 45A
- **技術**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**: 由于2SK1286-VB具有低漏源電壓和低導通電阻，適用于低壓電源管理系統中的開關元件。可以用于移動設備充電器、電池管理系統等。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的電動機控制中，需要高性能的開關器件來控制電機的啟停和速度調節。2SK1286-VB的特性使其成為這類應用的理想選擇。

3. **工業控制系統**: 該MOSFET適用于各種工業控制系統，如PLC、電機驅動器等。其高性能和可靠性使其成為工業環境中的理想選擇。

綜上所述，2SK1286-VB適用于需要低壓和電流處理能力的功率管理和開關應用。其特性使其在移動設備、電動汽車和工業控制系統等領域中都有著廣泛的應用前景。