### 2SK1916-01R-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

2SK1916-01R-VB 是一款高性能、單通道 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封裝，適用于中高壓、高功率應用。其主要特點包括 550V 的漏源電壓（VDS）、18A 的漏極電流（ID），以及在不同柵源電壓下的導通電阻（RDS(ON)）：260mΩ@VGS=10V。該產(chǎn)品采用平面結構（Plannar）技術制造，具有優(yōu)異的導通特性和高功率能力。

### 2SK1916-01R-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 550V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術**: 平面結構（Plannar）

### 應用領域和模塊舉例

2SK1916-01R-VB MOSFET 適用于以下中高壓、高功率應用領域和模塊：

1. **電源轉換器**: 由于其高漏源電壓和高漏極電流能力，2SK1916-01R-VB 可用作高壓開關電源（SMPS）中的主開關器件，支持高功率設備的能效轉換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **工業(yè)電力設備**: 該 MOSFET 適用于工業(yè)電力設備中的電源開關和控制模塊，確保設備在高負載和高效能要求下的穩(wěn)定運行，如高壓直流輸電設備。

3. **電動汽車充電樁**: 在電動汽車充電樁中，2SK1916-01R-VB 可用于高壓充電樁的電源管理和功率控制模塊，支持高效的充電過程和電能轉換。

4. **太陽能逆變器**: 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，2SK1916-01R-VB 可用于逆變器模塊中，處理直流電到交流電的轉換，支持高效的能量轉換和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

5. **高壓直流輸電**: 由于其高漏源電壓和低導通電阻，這款 MOSFET 可用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關控制模塊，支持高效的電能傳輸和穩(wěn)定的系統(tǒng)運行。

綜上所述，2SK1916-01R-VB MOSFET 具有廣泛的應用領域，特別適用于中高壓、高功率處理能力的場合，能夠滿足各種領域的需求。