--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:2SK2173-VB
2SK2173-VB是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用TO3P封裝,適用于高效電源轉換和開關應用。該器件采用Trench技術,具有低導通電阻、高電流處理能力和穩定的性能特性。
### 詳細參數說明:
- **型號**: 2SK2173-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 3.6mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊舉例:
1. **電源模塊**:2SK2173-VB適用于需要高功率密度和高效能量轉換的電源模塊,如服務器電源、工業電源和通信電源,提供穩定的電壓和電流輸出。
2. **電動汽車**:在電動汽車的驅動系統中,該MOSFET可用作電機驅動器的開關元件,提供高效的電能轉換和強大的動力輸出。
3. **工業電機驅動器**:在需要高性能電機控制的應用中,如工業馬達控制器、電動工具等,2SK2173-VB可提供可靠的開關功能和高效的能量轉換。
4. **電池管理系統**:在需要高功率密度的電池充放電管理系統中,該MOSFET可用于開關充電和放電回路,確保電池的安全和高效管理。
5. **電力逆變器**:在需要高性能逆變器的應用中,如太陽能逆變器、風力發電逆變器等,2SK2173-VB可作為逆變器的關鍵開關元件,將直流電轉換為交流電。
通過以上領域的應用,2SK2173-VB顯示出其在高功率、中壓和高效能量轉換要求下的優越性能,成為多種電力電子系統中的理想選擇。
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