### 產品簡介
2SK2313-VB 是一款高功率、單N溝道MOSFET，采用TO3P封裝。其設計采用了Trench技術，具有高效的開關性能和低導通電阻，適用于高功率應用場景。該MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS），能夠在較低的柵極電壓下提供可靠的導通性能。其最大漏極電流（ID）為210A，柵源電壓（VGS）為20V（±），門限電壓（Vth）為3V。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2SK2313-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 60V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **門限電壓（Vth）**: 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 3.6mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 210A
- **技術**: Trench
### 應用領域及模塊
2SK2313-VB MOSFET 具有高功率和高效的特性，適用于以下領域和模塊：
1. **電源管理系統**：在需要高功率開關和穩定性能的應用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關性能，適用于工業電源和高功率電源供應器。
2. **電機驅動**：在需要處理高功率的電機控制和驅動應用中，該MOSFET能夠提供高效的開關和控制特性，適用于電動車驅動系統、工業電機控制和大功率家電中的電機控制模塊。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，該MOSFET能夠處理汽車電源管理和高功率電路控制的需求，適用于車載電源系統和電動汽車中的高功率控制模塊。
4. **工業控制**：用于工業控制系統中的高功率開關和保護電路，2SK2313-VB能夠提供可靠的高功率開關性能，適用于工業自動化控制系統中的各種高功率開關應用。
通過這些應用示例，可以看出2SK2313-VB MOSFET 適用于需要高功率、高效開關特性的多種電子和工業應用場景。
