### 2SK2397-01MR-VB 產品簡介

2SK2397-01MR-VB 是一款單N溝道MOSFET，具有800V的漏源電壓和5A的漏極電流能力。采用TO220F封裝，適用于需要高電壓和中等電流的應用場合。其低導通電阻和高閾值電壓使其在功率開關和電源管理應用中表現出色。

### 2SK2397-01MR-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2397-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電源逆變器**：
  2SK2397-01MR-VB 可用于高壓逆變器的功率開關模塊。其高電壓和高電流能力使其成為逆變器中的關鍵元件。

2. **電動車充電器**：
  在電動車充電器中，這種MOSFET可用于功率開關和電源管理。其高電壓和高電流能力確保了充電器的高效能和穩定性。

3. **電力傳輸**：
  在電力傳輸系統中，2SK2397-01MR-VB 可用于開關電源線路。其高電壓和高導通電阻使其成為電力傳輸系統中的理想選擇。

4. **工業電源**：
  在工業電源系統中，這種MOSFET可用于高壓電源管理模塊。其高可靠性和高性能使其成為工業電源系統中的理想選擇。

這些示例說明了 2SK2397-01MR-VB 在各種領域和模塊中的廣泛應用，其高性能和可靠性使其成為高電壓應用的理想選擇。