--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK2469-01MR-VB MOSFET 產品簡介
2SK2469-01MR-VB 是一款由VBsemi制造的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。這款器件適用于中功率應用,具有較高的漏源電壓(VDS 650V)和適中的電流承載能力(ID 12A)。采用平面工藝技術,具有較低的導通電阻和適中的閾值電壓,適合要求高效率和可靠性的電路設計。
### 2SK2469-01MR-VB 詳細參數說明
- **型號**: 2SK2469-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術**: 平面工藝

### 適用領域和模塊舉例
1. **電源轉換器(Power Converters)**:
2SK2469-01MR-VB 可以用于中功率電源轉換器中,例如逆變器、變頻器等。其高漏源電壓和適中的電流承載能力有助于提高電路的效率和穩定性。
2. **電動汽車充電樁(Electric Vehicle Charging Stations)**:
該器件適用于電動汽車充電樁中的開關控制電路,幫助控制充電電流和保護電路。其高漏源電壓和高電流承載能力使其成為電動汽車充電樁設計中的理想選擇。
3. **工業電源(Industrial Power Supplies)**:
在工業電源系統中,2SK2469-01MR-VB 可以用作開關電源中的開關元件,用于控制電源的輸出。其高可靠性和耐壓能力適合在工業環境中長時間穩定運行。
4. **電力因數校正器(Power Factor Correctors)**:
2SK2469-01MR-VB 適用于電力因數校正器中的開關控制電路,幫助改善電路的功率因數。其特性使其成為提高功率因數的關鍵元件之一。
以上是2SK2469-01MR-VB 在中功率應用中的典型應用場景。其特性使其成為多種電路設計中的理想選擇,能夠滿足對功率、效率和可靠性要求較高的應用需求。
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