### 2SK2640-01MR-VB 產品簡介

2SK2640-01MR-VB 是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏源電壓和10A的漏極電流能力。采用TO220F封裝，適用于需要中等電壓和電流的應用場合。其低導通電阻和合適的閾值電壓使其在功率開關和電源管理應用中表現出色。

### 2SK2640-01MR-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2640-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**：
  2SK2640-01MR-VB 可用于中等電壓和電流的電源管理模塊，如開關電源和功率逆變器。其中等電壓和電流能力使其成為這些應用中的理想選擇。

2. **電動車輛**：
  在電動車輛中，這種MOSFET可用于電機控制和電池管理系統。其中等電壓和電流能力確保了電動車輛的高效能和穩定性。

3. **工業控制**：
  2SK2640-01MR-VB 可用于工業控制系統中的電源管理和功率開關模塊。其高可靠性和高性能使其成為工業應用中的理想選擇。

4. **照明系統**：
  在各種類型的照明系統中，2SK2640-01MR-VB 可用于驅動和調節電路。其高電壓和可靠性使其適合長時間工作的照明應用。

這些示例說明了 2SK2640-01MR-VB 在各種領域和模塊中的廣泛應用，其高性能和可靠性使其成為各種中等電壓和電流應用的理想選擇。