### 2SK2719-VB 產品簡介

2SK2719-VB 是一款單N溝道MOSFET，具有900V的漏源電壓和9A的漏極電流能力。采用TO3P封裝，適用于需要高電壓和中等電流的應用場合。其低導通電阻和合適的閾值電壓使其在功率開關和電源管理應用中表現出色。

### 2SK2719-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2719-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電力供應**：
  2SK2719-VB 可用于高壓電力供應系統中的功率開關和保護電路。其高電壓和電流能力使其適用于這些高壓環境中的使用。

2. **工業控制**：
  在工業控制系統中，這種MOSFET可用于高壓開關和驅動電路。其高性能和可靠性使其成為工業應用中的理想選擇。

3. **電動汽車充電**：
  在電動汽車充電樁中，2SK2719-VB 可用于開關電源和電池管理系統。其高電壓和電流能力確保了充電樁的高效能和穩定性。

4. **電源管理**：
  2SK2719-VB 可用于需要高電壓和中等電流的電源管理模塊，如開關電源和功率逆變器。其高電壓和合適的電流能力使其成為這些應用中的理想選擇。

這些示例說明了 2SK2719-VB 在各種領域和模塊中的廣泛應用，其高性能和可靠性使其成為各種高電壓和電流應用的理想選擇。