### 產品簡介

**2SK2761-01MR-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝形式，具有高壓耐受性和低導通電阻。該器件的額定漏極-源極電壓（VDS）為650V，柵極-源極電壓（VGS）為±30V，柵極閾值電壓（Vth）為3.5V。在VGS=10V時，導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ，最大漏極電流（ID）可達10A。采用Plannar技術制造，具有優異的性能和穩定性。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2761-01MR-VB
- **封裝形式**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Plannar

### 應用領域及模塊

**2SK2761-01MR-VB** 適用于需要高電壓和低導通電阻的應用，特別適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**:
  - **開關電源**: 作為開關電源中的功率開關器件，提供高效的電源開關功能。

2. **電機驅動**:
  - **工業電機**: 在工業電機驅動中的功率開關器件，提供可靠的電機控制。

3. **UPS系統**:
  - **UPS逆變器**: 作為UPS系統中的功率開關器件，提供穩定的電源輸出。

4. **太陽能逆變器**:
  - **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中的功率開關器件，提供高效的能量轉換。

5. **電動汽車充電樁**:
  - **充電樁**: 作為電動汽車充電樁中的功率開關器件，提供快速而穩定的充電能力。

2SK2761-01MR-VB MOSFET具有高電壓耐受性和低導通電阻，在需要高性能功率控制和轉換的應用中表現出色。