--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK2808-01MR-VB 產(chǎn)品簡介
2SK2808-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),能夠在低壓應(yīng)用中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了溝道技術(shù),確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為68A,在VGS為4.5V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2mΩ,在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1mΩ。這個器件適用于對低壓要求且需要高電流的場合。
### 二、2SK2808-01MR-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V: 2mΩ
- @ VGS=10V: 1mΩ
- **漏極電流(ID)**:68A
- **技術(shù)**:溝道技術(shù)
- **其他參數(shù)**:
- 柵極電荷(Qg):待定
- 反向恢復(fù)時間(trr):待定
- 電感負(fù)載開關(guān)時間(tsw):待定
- 封裝尺寸:待定
- 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
2SK2808-01MR-VB MOSFET 由于其低壓和高電流能力,適用于各種低壓高功率的應(yīng)用場景。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊**:在需要高效能和穩(wěn)定性能的低壓電源模塊中,2SK2808-01MR-VB 可以提供可靠的功率開關(guān)和電流控制,使電源模塊具有更好的效率和可靠性。
2. **電機(jī)驅(qū)動器**:在低壓電機(jī)控制系統(tǒng)中,2SK2808-01MR-VB 可以提供高效的電流控制和電壓調(diào)節(jié),確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能轉(zhuǎn)換。
3. **照明系統(tǒng)**:對于需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng),2SK2808-01MR-VB 可以提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,提升照明效果和能源利用率。
4. **電動汽車控制器**:在電動汽車控制系統(tǒng)中,2SK2808-01MR-VB 的高電流處理能力和低壓特性可以確保電能傳輸?shù)姆€(wěn)定和高效率,提高電動汽車的性能和續(xù)航里程。
總的來說,2SK2808-01MR-VB 是一款適用于低壓高功率場合的N溝道MOSFET,具有高性能和穩(wěn)定性,可以滿足各種高功率電子設(shè)備的需求。
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