### 產(chǎn)品簡介

**型號**: 2SK2875-01-VB  
**封裝**: TO220  
**配置**: 單N溝道  
**技術(shù)**: 平面（Plannar）  

2SK2875-01-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，具有600V的漏-源電壓承受能力。采用平面技術(shù)設(shè)計(jì)，適用于各種高壓應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **VDS**（漏-源電壓）: 600V
- **VGS**（柵-源電壓）: ±30V
- **Vth**（柵極閾值電壓）: 3.5V
- **RDS(ON)**（導(dǎo)通電阻）:
 - 1070mΩ @ VGS=4.5V
 - 780mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏極電流）: 8A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源逆變器**: 2SK2875-01-VB適用于電源逆變器中的開關(guān)模塊，可用于工業(yè)電源和UPS系統(tǒng)。其高漏-源電壓承受能力和適中的漏極電流使其成為逆變器設(shè)計(jì)的理想選擇。

**電動車充電器**: 在電動汽車充電器中，該MOSFET可用于高壓直流-直流變換器。其高漏-源電壓和低導(dǎo)通電阻能夠提高充電器的效率和性能。

**照明應(yīng)用**: 2SK2875-01-VB可用于LED照明驅(qū)動器和高壓開關(guān)模塊。其高耐壓特性使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，為照明系統(tǒng)提供可靠性保障。

**電力電子**: 在電力電子領(lǐng)域，該MOSFET可用于高壓開關(guān)電源和電力轉(zhuǎn)換器。其高性能和耐壓能力使其成為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵組件。

2SK2875-01-VB以其高耐壓能力和穩(wěn)定性，適用于各種高壓應(yīng)用場合，為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。