### 產品簡介

**型號：2SK2876-01MR-VB**  
**封裝：TO220F**  
**配置：單N溝道**  
**技術：平面技術**

2SK2876-01MR-VB 是一款高壓N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，適用于高壓應用。其650V的漏源電壓（VDS）和7A的漏極電流（ID）使其在需要高電壓輸出但相對較低電流的電路中表現出色。1100mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術類型**: 平面技術
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道

### 應用領域和模塊示例

2SK2876-01MR-VB 的高壓特性使其適用于多種應用領域：

1. **電源管理系統**: 該MOSFET可用于開關電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）系統中，幫助實現高效能和可靠性。

2. **電機驅動器**: 在需要高壓輸出但相對較低電流的電機控制器和驅動模塊中，該MOSFET可以提供穩定的電流輸出。

3. **工業控制**: 在工業自動化和機器人控制系統中，2SK2876-01MR-VB 可用于高壓電源管理和驅動電路，確保設備的高效運行。

4. **LED照明**: 在高功率LED照明系統中，該MOSFET可以用于電源和驅動電路，提供穩定的電流輸出和高效的能源轉換。

5. **電動汽車充電樁**: 由于其高壓特性，該MOSFET可用于電動汽車充電樁中，提供高效的電能轉換和電流輸出。

2SK2876-01MR-VB 的高壓特性和低功耗設計使其成為高壓應用中的理想選擇，能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。