--- 產品參數 ---
- 型號 ID2006
--- 產品詳情 ---
高低側柵極驅動芯片-ID2006
一、概述
ID2006是-款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片,具有獨立的高低邊參考輸出通道。該浮動通道可用于驅動高側配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達200V。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力。
二、產品特診
高側浮動偏移電壓200V
輸入邏輯兼容3.3V/5V
dV/dt抗干擾能力*50V/nsec
柵驅動電壓范圍6V~18V
拉/灌電流能力典型值1A/1A
VS負偏壓能力典型值-9V
三、應用領域
中小型功率電機驅動
功率MOSFET驅動
半橋功率逆變器
全橋功率逆變器
任意互補驅動轉換器
四、封裝訂購信息
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/03/9E/wKgZombFUyWAGtTyAACmVcfKRJA821.png)
五、典型電路
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/04/8A/wKgaombFUyWAUmOLAAFRNG0Eg3E445.png)
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