### 產品簡介

**型號：2SK2968-VB**  
**封裝：TO3P**  
**配置：單N溝道**  
**技術：SJ_Multi-EPI**

2SK2968-VB 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO3P封裝，適用于高壓高電流應用。其900V的漏源電壓（VDS）和9A的漏極電流（ID）使其在需要高壓和中等電流輸出的電路中表現出色。750mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI
- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單N溝道

### 應用領域和模塊示例

2SK2968-VB 的高性能特性使其適用于多種應用領域：

1. **電源管理系統**: 該MOSFET可用于高壓開關電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）系統中，幫助實現高效能和可靠性。

2. **電機驅動器**: 在需要高壓和中等電流輸出的電機控制器和驅動模塊中，該MOSFET可以提供穩定的電流輸出。

3. **工業控制**: 在工業自動化和機器人控制系統中，2SK2968-VB 可用于電源管理和驅動電路，確保設備的高效運行。

4. **電源轉換器**: 由于其高壓和中等電流特性，該MOSFET可用于DC-DC轉換器和AC-DC變換器中，提供高效的電能轉換。

5. **醫療設備**: 在需要高電壓輸出的醫療設備中，如X射線發生器和醫療圖像設備，該MOSFET可以用于電源和驅動電路。

2SK2968-VB 的優異電氣特性和可靠性設計使其成為高壓高電流應用中的理想選擇，能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。